HAT2088R-EL-E
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

HAT2088R-EL-E

Product Overview

المُصنّع:

Renesas Electronics Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

HAT2088R-EL-E-DG

وصف:

MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP

المخزون:

12855299
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

HAT2088R-EL-E المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Renesas Electronics Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
440mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
HAT2088

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
renesas-electronics-america

RJK2557DPA-00#J0

MOSFET N-CH 250V 17A 8WPAK

infineon-technologies

SPB70N10L

MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3

renesas-electronics-america

NP82N055PUG-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 82A TO263

onsemi

NTMFS4120NT1G

MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN