رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NP100N04PUK-E1-AY
Product Overview
المُصنّع:
Renesas Electronics Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
NP100N04PUK-E1-AY-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Surface Mount TO-263
المخزون:
1600 قطع جديدة أصلية في المخزون
12861398
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NP100N04PUK-E1-AY المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Renesas Electronics Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7050 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta), 176W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263
العبوة / العلبة
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
رقم المنتج الأساسي
NP100N04
مواصفات تقنية ومستندات
رسومات المنتج
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
-1161-NP100N04PUK-E1-AY
NP100N04PUK-E1-AY-DG
-1161-NP100N04PUK-E1-AYCT
559-NP100N04PUK-E1-AYTR
-1161-NP100N04PUK-E1-AYTR-DG
-1161-NP100N04PUK-E1-AYTR
-1161-NP100N04PUK-E1-AY-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7464
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
MTM231232LBF
MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1-B
IRLR8256PBF
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
