رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NP50P04KDG-E1-AY
Product Overview
المُصنّع:
Renesas Electronics Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
NP50P04KDG-E1-AY-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 50A TO263
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 1.8W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263
المخزون:
1472 قطع جديدة أصلية في المخزون
12854586
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NP50P04KDG-E1-AY المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Renesas Electronics Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5100 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta), 90W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
-1161-NP50P04KDG-E1-AYCT
NP50P04KDG-E1-AY-DG
559-NP50P04KDG-E1-AYTR
559-NP50P04KDG-E1-AYCT
559-NP50P04KDG-E1-AYDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MTB2P50ET4G
MOSFET P-CH 500V 2A D2PAK
2SK4150TZ-E
MOSFET N-CH 250V 400MA TO92
UPA2739T1A-E2-AY
MOSFET P-CH 30V 85A 8HVSON
