الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NP80N04PLG-E1B-AY
Product Overview
المُصنّع:
Renesas Electronics Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
NP80N04PLG-E1B-AY-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount TO-263
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12859571
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NP80N04PLG-E1B-AY المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Renesas Electronics Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6900 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta), 115W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NP80N04xLG
مخططات البيانات
NP80N04PLG-E1B-AY
ورقة بيانات HTML
NP80N04PLG-E1B-AY-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
NP80N04PLG-E1B-AYCT
NP80N04PLGE1BAY
NP80N04PLG-E1B-AYDKR
NP80N04PLG-E1B-AY-DG
NP80N04PLG-E1B-AYTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BUK964R4-40B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7464
DiGi رقم الجزء
BUK964R4-40B,118-DG
سعر الوحدة
1.17
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF1404STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1786
DiGi رقم الجزء
IRF1404STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUK764R0-40E,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4500
DiGi رقم الجزء
BUK764R0-40E,118-DG
سعر الوحدة
0.90
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB80N04S4L04ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
681
DiGi رقم الجزء
IPB80N04S4L04ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.91
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB80N04S404ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2000
DiGi رقم الجزء
IPB80N04S404ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.93
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPL60R105P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
NTD5C446NT4G
MOSFET N-CH 40V 110A DPAK
NTD4963NT4G
MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A DPAK
RFP14N05L
MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3