رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NP82N03PUG-E1-AY
Product Overview
المُصنّع:
Renesas Electronics Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
NP82N03PUG-E1-AY-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 82A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 143W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12939014
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NP82N03PUG-E1-AY المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Renesas Electronics Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
82A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.8mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9080 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta), 143W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD155N3LH6
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2446
DiGi رقم الجزء
STD155N3LH6-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN2R7-30BL,118
المُصنِّع
NXP USA Inc.
الكمية المتاحة
1450
DiGi رقم الجزء
PSMN2R7-30BL,118-DG
سعر الوحدة
0.73
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS4C01NT1G
MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
CMS01P10T-HF
MOSFET P-CH 100V 1.2A SOT23-3
CMS61P06CT-HF
MOSFET P-CH 60V 61A TO220AB
