رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

UPA2630T1R-E2-AX

Product Overview

المُصنّع:

Renesas Electronics Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

UPA2630T1R-E2-AX-DG

وصف:

MOSFET P-CH 12V 7A 6HUSON

وصف تفصيلي:

P-Channel 12 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-HUSON (2x2)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12939674

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

UPA2630T1R-E2-AX المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Renesas Electronics Corporation

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

12 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

7A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

1.8V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

59mOhm @ 3.5A, 1.8V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

-

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

11.3 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1260 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

6-HUSON (2x2)

العبوة / العلبة

6-WFDFN Exposed Pad

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

NTD3055-094G

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

onsemi

NTTFS4C10NTAG

MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN

onsemi

NTB30N06LG

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

onsemi

NTD6416ANLT4G

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK