رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
UPA2706GR-E2-AT
Product Overview
المُصنّع:
Renesas
رقم الجزء DiGi Electronics:
UPA2706GR-E2-AT-DG
وصف:
UPA2706GR-E2-AT - MOS FIELD EFFE
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 20A (Tc) 3W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
19759 قطع جديدة أصلية في المخزون
12976763
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
UPA2706GR-E2-AT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Renesas Electronics Corporation
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Ta), 20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.1 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
660 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 15W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
معلومات إضافية
الباقة القياسية
258
اسماء اخرى
2156-UPA2706GR-E2-AT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UPA2782GR-E1-A
UPA2782GR-E1-A - SWITCHINGN-CHAN
RJK6002DPH-E0#T2
RJK6002DPH - N CHANNEL MOSFET
HAT1069C0S-EL-E
HAT1069C0S - P-CHANNEL POWER MOS