رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
UPA2813T1L-E2-AT
Product Overview
المُصنّع:
Renesas Electronics Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
UPA2813T1L-E2-AT-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 27A 8HWSON
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 27A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
المخزون:
12858235
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
UPA2813T1L-E2-AT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Renesas Electronics Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.2mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3130 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-HWSON (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
UPA2813
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RQ3E120ATTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
21620
DiGi رقم الجزء
RQ3E120ATTB-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STL42P4LLF6
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
30771
DiGi رقم الجزء
STL42P4LLF6-DG
سعر الوحدة
0.58
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMP3007SFG-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2847
DiGi رقم الجزء
DMP3007SFG-13-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SFP9640L
MOSFET P-CH 200V 11A TO220-3
NTTFS5826NLTWG
MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
NP60N04MUK-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 60A TO220
