DTD123ECT116
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DTD123ECT116

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

DTD123ECT116-DG

وصف:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SST3

المخزون:

3785 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524593
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DTD123ECT116 المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
2.2 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
39 @ 50mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
200 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SST3
رقم المنتج الأساسي
DTD123

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DTD123ECT116DKR
DTD123ECT116CT
DTD123ECMGT116
DTD123ECT116TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

DTA143TUBTL

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3

rohm-semi

DTA023YEBTL

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F

rohm-semi

DTB123YKT146

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3

rohm-semi

DTA124XU3T106

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3