رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EMD12T2R
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
EMD12T2R-DG
وصف:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
المخزون:
7400 قطع جديدة أصلية في المخزون
13523583
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EMD12T2R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
68 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
EMT6
رقم المنتج الأساسي
EMD12
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
EMD12T2RDKR
EMD12T2RCT
EMD12T2RTR
EMD12T2R-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NSBC144EPDXV6T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3990
DiGi رقم الجزء
NSBC144EPDXV6T1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PEMD12,115
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
4633890
DiGi رقم الجزء
PEMD12,115-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IMD16AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMD14T108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
EMG6T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
