رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EMG9T2R
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
EMG9T2R-DG
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
المخزون:
7981 قطع جديدة أصلية في المخزون
13520718
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EMG9T2R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
حزمة جهاز المورد
EMT5
رقم المنتج الأساسي
EMG9T2
مواصفات تقنية ومستندات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
EMG9T2RDKR
EMG9T2RCT
EMG9T2RTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EMH2T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
EMH11FHAT2R
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
EMH61T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
