رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EMT2T2R
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
EMT2T2R-DG
وصف:
TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 150mW Surface Mount EMT6
المخزون:
7901 قطع جديدة أصلية في المخزون
13523165
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EMT2T2R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 1mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
التردد - الانتقال
140MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
EMT6
رقم المنتج الأساسي
EMT2T2
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
EMT2T2RDKR
Q5786658
EMT2T2R-ND
EMT2T2RTR
EMT2T2RCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
BC857BV,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
23451
DiGi رقم الجزء
BC857BV,115-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
EMT1T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
33308
DiGi رقم الجزء
EMT1T2R-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
HN1A01FE-Y,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
4000
DiGi رقم الجزء
HN1A01FE-Y,LF-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
