رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IMD23T108
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
IMD23T108-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 200MHz, 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
المخزون:
13525027
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IMD23T108 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA, 500mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
1kOhms, 10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10kOhms, 10kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
56 @ 50mA, 5V / 30 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 50mA, 2.5mA / 300mV @ 10mA, 500µA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
-
التردد - الانتقال
200MHz, 250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
حزمة جهاز المورد
SMT6
رقم المنتج الأساسي
IMD23
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN4603(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
RN4603(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PIMD2,125
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2941
DiGi رقم الجزء
PIMD2,125-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UMB10NTN
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
UMH3NFHATN
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
UMH10NTN
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6