R6004JNXC7G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

R6004JNXC7G

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

R6004JNXC7G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FM

المخزون:

851 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526121
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

R6004JNXC7G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
15V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.43Ohm @ 2A, 15V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
7V @ 450µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.5 nC @ 15 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
260 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FM
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
R6004

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

RCX330N25

MOSFET N-CH 250V 33A TO220FM

rohm-semi

RK7002T116

MOSFET N-CH 60V 115MA SST3

rohm-semi

R6018ANJTL

MOSFET N-CH 600V 18A LPTS

rohm-semi

RAL025P01TCR

MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6