رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6012JNXC7G
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6012JNXC7G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220FM
المخزون:
12851603
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6012JNXC7G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
15V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
390mOhm @ 6A, 15V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
7V @ 2.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 15 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
900 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FM
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
R6012
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
846-R6012JNXC7G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR210BTM_FP001
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
FDP8440
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
IRFR120_R4941
MOSFET N-CH 100V 8.4A TO252AA
