الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6020ANJTL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6020ANJTL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 304W (Tc) Surface Mount LPTS
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13525897
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6020ANJTL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2040 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
304W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LPTS
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
R6020
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
R6020ANJTL
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FCB20N60FTM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2398
DiGi رقم الجزء
FCB20N60FTM-DG
سعر الوحدة
2.61
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6020ENJTL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
9101
DiGi رقم الجزء
R6020ENJTL-DG
سعر الوحدة
1.15
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOB20S60L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
788
DiGi رقم الجزء
AOB20S60L-DG
سعر الوحدة
1.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB60R190C6ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1265
DiGi رقم الجزء
IPB60R190C6ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.41
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB18N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
916
DiGi رقم الجزء
STB18N60M2-DG
سعر الوحدة
1.09
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RD3L080SNTL1
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
R6004ENJTL
MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
RD3P100SNTL1
MOSFET N-CH 100V 10A TO252
R5005CNJTL
MOSFET N-CH 500V 5A LPTS