رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6022YNX3C16
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6022YNX3C16-DG
وصف:
NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
998 قطع جديدة أصلية في المخزون
13002811
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6022YNX3C16 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V, 12V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
165mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
6V @ 1.8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1400 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
205W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
846-R6022YNX3C16
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK4D72-30X
BUK4D72-30X
NVMJST2D6N08HTXG
TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
DMN2991UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-