الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6024KNZ1C9
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6024KNZ1C9-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-247
المخزون:
3 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524322
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6024KNZ1C9 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
165mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
245W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247
العبوة / العلبة
TO-247-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
R6024KNZ1C9
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
R6024KNZ1C9DKR-ND
R6024KNZ1C9DKRINACTIVE
R6024KNZ1C9CTINACTIVE
R6024KNZ1C9TR
R6024KNZ1C9DKR
R6024KNZ1C9CT
R6024KNZ1C9TR-ND
R6024KNZ1C9CT-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFH42N60P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFH42N60P3-DG
سعر الوحدة
4.39
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPW60R180C7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
218
DiGi رقم الجزء
IPW60R180C7XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.58
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCH190N65F-F155
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
415
DiGi رقم الجزء
FCH190N65F-F155-DG
سعر الوحدة
2.95
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFH36N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFH36N60P-DG
سعر الوحدة
6.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SPW24N60C3FKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
46
DiGi رقم الجزء
SPW24N60C3FKSA1-DG
سعر الوحدة
3.15
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RDX045N60FU6
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM
RP1E090XNTCR
MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
RSD080P05TL
MOSFET P-CH 45V 8A CPT3
RZF013P01TL
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3