الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
R6030ENZ1C9
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
R6030ENZ1C9-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13526294
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
R6030ENZ1C9 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
120W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247
العبوة / العلبة
TO-247-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
R6030ENZ1C9
معلومات إضافية
الباقة القياسية
450
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFX48N60Q3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
38
DiGi رقم الجزء
IXFX48N60Q3-DG
سعر الوحدة
17.23
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6030ENZ4C13
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
19
DiGi رقم الجزء
R6030ENZ4C13-DG
سعر الوحدة
4.52
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
IXFX48N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFX48N60P-DG
سعر الوحدة
11.94
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFK48N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFK48N60P-DG
سعر الوحدة
12.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW33N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
98
DiGi رقم الجزء
STW33N60M2-DG
سعر الوحدة
2.48
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RSH140N03TB1
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOP
RRQ045P03TR
MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
RQ5L015SPTL
MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
RE1C001ZPTL
MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F