رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RCD051N20TL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RCD051N20TL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 5A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
المخزون:
13526423
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RCD051N20TL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
760mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.25V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
330 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
850mW (Ta), 20W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
CPT3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
RCD051
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
RCD051N20TLDKR
RCD051N20TLTR
RCD051N20TLCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFR220PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
4331
DiGi رقم الجزء
IRFR220PBF-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RD3T050CNTL1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2014
DiGi رقم الجزء
RD3T050CNTL1-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDD7N20TM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
11419
DiGi رقم الجزء
FDD7N20TM-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
RTM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
RW1C025ZPT2CR
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
