رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RCJ220N25TL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RCJ220N25TL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 22A LPTS
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 22A (Tc) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount LPTS
المخزون:
988 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525735
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RCJ220N25TL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.56W (Ta), 40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LPTS
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
RCJ220
مواصفات تقنية ومستندات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
RCJ220N25TLDKR
RCJ220N25TLCT
RCJ220N25TLTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTA30N25L2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA30N25L2-DG
سعر الوحدة
7.55
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTA36N30P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
1630
DiGi رقم الجزء
IXTA36N30P-DG
سعر الوحدة
2.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RSF010P03TL
MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
RSJ10HN06TL
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
RS1E130GNTB
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
