رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RCX511N25
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RCX511N25-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 51A TO220FM
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
المخزون:
155 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525269
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RCX511N25 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
51A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.23W (Ta), 40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FM
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
RCX511
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
وثائق الموثوقية
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
RCX511N25CT
RCX511N25CT-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFP38N30X3M
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
2365
DiGi رقم الجزء
IXFP38N30X3M-DG
سعر الوحدة
2.65
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFP30N25X3M
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
287
DiGi رقم الجزء
IXFP30N25X3M-DG
سعر الوحدة
3.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDPF51N25
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
704
DiGi رقم الجزء
FDPF51N25-DG
سعر الوحدة
1.27
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RSS105N03TB
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOP
RK3055ETL
MOSFET N-CH 60V 8A CPT3
RTR025N05TL
MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
