رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RD3T100CNTL1
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RD3T100CNTL1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-252
المخزون:
5000 قطع جديدة أصلية في المخزون
13527105
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RD3T100CNTL1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
182mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.25V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
85W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
RD3T100
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
RD3T100CNTL1CT
RD3T100CNTL1DKR
RD3T100CNTL1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RDD022N60TL
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
RAQ045P01MGTCR
1.5V DRIVE PCH MOSFET
RJK005N03FRAT146
MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
