رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RDD023N50TL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RDD023N50TL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
المخزون:
13526650
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RDD023N50TL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
151 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
20W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
CPT3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
RDD023
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
RDD023N50TLTR
RDD023N50TLCT
RDD023N50TLDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTY08N50D2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
4655
DiGi رقم الجزء
IXTY08N50D2-DG
سعر الوحدة
1.15
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6002END3TL1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2329
DiGi رقم الجزء
R6002END3TL1-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFR420TRPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5495
DiGi رقم الجزء
IRFR420TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RSQ015P10TR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
RSQ045N03TR
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
RQ5E040AJTCL
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
