RQ3E180AJTB
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RQ3E180AJTB

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

RQ3E180AJTB-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

المخزون:

16588 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526210
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RQ3E180AJTB المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Ta), 30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 11mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4290 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-HSMT (3.2x3)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
RQ3E180

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
RQ3E180AJ HSMT8 TB Taping Spec

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RQ3E180AJTBCT
RQ3E180AJTBDKR
RQ3E180AJTBTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

RRH140P03GZETB

MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

rohm-semi

RSS065N06FU6TB

MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP

rohm-semi

RQ5A025ZPTL

MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3

rohm-semi

R6020ENX

MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM