رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RQ6E030SPTR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RQ6E030SPTR-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 3A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
المخزون:
2337 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526610
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RQ6E030SPTR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
440 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
950mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TSMT6 (SC-95)
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
RQ6E030
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RQ6E030SPCT
RQ6E030SPDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMN50EPEX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2970
DiGi رقم الجزء
PMN50EPEX-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RRQ030P03TR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
RSH065N06GZETB
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
