RS1E280BNTB
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RS1E280BNTB

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

RS1E280BNTB-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

المخزون:

35014 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524348
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RS1E280BNTB المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
28A (Ta), 80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.3mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5100 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-HSOP
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
RS1E

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
RS1E280BNTBTR
RS1E280BNTBDKR
RS1E280BNTBCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

RQ5E035BNTCL

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3

rohm-semi

RP1E090RPTR

MOSFET P-CH 30V 9A MPT6

rohm-semi

RU1C002ZPTCL

MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F

rohm-semi

R5009FNX

MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM