الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RS1E281BNTB1
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RS1E281BNTB1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
المخزون:
940 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524284
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RS1E281BNTB1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
28A (Ta), 80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.3mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5100 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-HSOP
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
RS1E
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
RS1E281BNTB1
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
RS1E281BNTB1DKR
RS1E281BNTB1TR
RS1E281BNTB1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSZ0501NSIATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
10000
DiGi رقم الجزء
BSZ0501NSIATMA1-DG
سعر الوحدة
0.62
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSC020N03MSGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
32523
DiGi رقم الجزء
BSC020N03MSGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMT32M5LPS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
7475
DiGi رقم الجزء
DMT32M5LPS-13-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD17576Q5BT
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
477
DiGi رقم الجزء
CSD17576Q5BT-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSC0901NSATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
32490
DiGi رقم الجزء
BSC0901NSATMA1-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RDX120N50FU6
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FM
R8005ANJFRGTL
MOSFET N-CH 800V 5A LPTS
RQ6E030ATTCR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
RD3L140SPFRATL
MOSFET P-CH 60V 14A TO252