رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RS1P600BETB1
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RS1P600BETB1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 17.5A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
المخزون:
13526379
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RS1P600BETB1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17.5A (Ta), 60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 500µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2200 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-HSOP
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
RS1P
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
RS1P600BETB1TR
RS1P600BETB1CT
RS1P600BETB1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSC082N10LSGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
6574
DiGi رقم الجزء
BSC082N10LSGATMA1-DG
سعر الوحدة
1.20
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD19533Q5A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
40791
DiGi رقم الجزء
CSD19533Q5A-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RQ5C060BCTCL
MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
R6007JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
RCX120N20
MOSFET N-CH 200V 12A TO220FM
