رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RS3E095BNGZETB
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RS3E095BNGZETB-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
2500 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524861
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RS3E095BNGZETB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14.6mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.3 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
680 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
RS3E
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
RS3E095BNGZETBCT
RS3E095BNGZETBDKR
RS3E095BNGZETBTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RQ5E050ATTCL
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
RF6C055BCTCR
MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
RF4C100BCTCR
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8