رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RSS065N06FRATB
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RSS065N06FRATB-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
13525142
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RSS065N06FRATB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
37mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
900 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
RSS065
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
RSS065N06FRATBTR
RSS065N06FRATBCT
RSS065N06FRATBDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RSS065N06HZGTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
6610
DiGi رقم الجزء
RSS065N06HZGTB-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
SI4436DY-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
17948
DiGi رقم الجزء
SI4436DY-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RE1E002SPTCL
MOSFET P-CH 30V 250MA EMT3F
R6020ENJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
RHU003N03FRAT106
MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
