رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RSU002P03T106
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RSU002P03T106-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
المخزون:
12304 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526496
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RSU002P03T106 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
30 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
UMT3
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323
رقم المنتج الأساسي
RSU002
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RSU002P03T106TR
RSU002P03T106DKR
RSU002P03T106CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RQ5E020SPTL
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
RCD100N20TL
MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
R8002ANX
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
