رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RUC002N05T116
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RUC002N05T116-DG
وصف:
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
المخزون:
611414 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524887
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RUC002N05T116 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.2V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
25 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SST3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
RUC002
مواصفات تقنية ومستندات
دليل ترقيم الأجزاء
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RUC002N05T116-ND
RUC002N05T116CT
RUC002N05T116DKR
RUC002N05MGT116
RUC002N05T116TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RQ5E035ATTCL
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
RE1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F
TT8U2TCR
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
