رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RUR040N02TL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RUR040N02TL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3
المخزون:
12615 قطع جديدة أصلية في المخزون
13527191
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RUR040N02TL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
680 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TSMT3
العبوة / العلبة
SC-96
رقم المنتج الأساسي
RUR040
مواصفات تقنية ومستندات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RUR040N02TLDKR
RUR040N02MGTL
RUR040N02TLTR
RUR040N02TLCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
R6020ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
RD3L150SNTL1
MOSFET N-CH 60V 15A TO252
RQ3E080BNTB
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
