رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RW1C015UNT2R
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RW1C015UNT2R-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
المخزون:
13525367
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RW1C015UNT2R المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.8 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
110 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-WEMT
العبوة / العلبة
6-SMD, Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
RW1C015
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMXB43UNEZ
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
67458
DiGi رقم الجزء
PMXB43UNEZ-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RV2C010UNT2L
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2757
DiGi رقم الجزء
RV2C010UNT2L-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CMLDM7120G TR PBFREE
المُصنِّع
Central Semiconductor Corp
الكمية المتاحة
2000
DiGi رقم الجزء
CMLDM7120G TR PBFREE-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RQ5H020TNTL
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
RS1G180MNTB
MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
RUQ050N02TR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6