رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RZM001P02T2L
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RZM001P02T2L-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
المخزون:
274678 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526738
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RZM001P02T2L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.2V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 100µA
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
VMT3
العبوة / العلبة
SOT-723
رقم المنتج الأساسي
RZM001
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
RZM001P02T2LCT
RZM001P02T2LDKR
RZM001P02T2LTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RRF015P03GTL
MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
R6020JNZC8
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
R5009ANJTL
MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
