رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RZQ050P01TR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
RZQ050P01TR-DG
وصف:
MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
وصف تفصيلي:
P-Channel 12 V 5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
المخزون:
15 قطع جديدة أصلية في المخزون
13525820
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RZQ050P01TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2850 pF @ 6 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
600mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TSMT6 (SC-95)
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
RZQ050
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RZQ050P01CT
RZQ050P01MGTR
RZQ050P01DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDC606P
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDC606P-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RQ6E035ATTCR
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
RP1A090ZPTR
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
