رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SCT2080KEGC11
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SCT2080KEGC11-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 40A TO247N
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N
المخزون:
170 قطع جديدة أصلية في المخزون
12996835
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SCT2080KEGC11 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
18V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
117mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 4.4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
106 nC @ 18 V
Vgs (ماكس)
+22V, -6V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2080 pF @ 800 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
262W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247N
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SCT2080
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
450
اسماء اخرى
846-SCT2080KEGC11
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MTSF2P03HDR2
MTSF2P03 - TRANS MOSFET P-CH 30V
MCG65N03-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
MCG30N10Y-TP
MOSFET N-CH DFN3333
