رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SCT2080KEHRC11
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SCT2080KEHRC11-DG
وصف:
SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) Through Hole TO-247N
المخزون:
2244 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526694
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SCT2080KEHRC11 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
18V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
117mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 4.4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
106 nC @ 18 V
Vgs (ماكس)
+22V, -6V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2080 pF @ 800 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247N
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SCT2080
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
SCT2080KEHRC11Z
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZDX130N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
RCX300N20
MOSFET N-CH 200V 30A TO220FM
R6024KNJTL
MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS