رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SCT3030ALHRC11
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SCT3030ALHRC11-DG
وصف:
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 70A (Tc) 262W Through Hole TO-247N
المخزون:
468 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524431
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SCT3030ALHRC11 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
70A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
18V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
39mOhm @ 27A, 18V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.6V @ 13.3mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
104 nC @ 18 V
Vgs (ماكس)
+22V, -4V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1526 pF @ 500 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
262W
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247N
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
SCT3030
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RS1G260MNTB
MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
RSD221N06TL
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
R6076ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
