SH8J65TB1
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SH8J65TB1

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

SH8J65TB1-DG

وصف:

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP

المخزون:

3351 قطع جديدة أصلية في المخزون
13526120
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SH8J65TB1 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
29mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1200pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOP
رقم المنتج الأساسي
SH8J65

مواصفات تقنية ومستندات

وثائق الموثوقية
موارد التصميم
أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SH8J65TB1CT
SH8J65TB1DKR
SH8J65TB1TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

QS8J4TR

MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8

rohm-semi

QH8M22TCR

MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8

rohm-semi

US6M2GTR

MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

rohm-semi

QS8M13TCR

MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8