رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SH8K2TB1
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SH8K2TB1-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 6A 2W Surface Mount 8-SOP (5.0x6.0)
المخزون:
13526353
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
ejWp
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SH8K2TB1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.1nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
520pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Gull Wing
حزمة جهاز المورد
8-SOP (5.0x6.0)
رقم المنتج الأساسي
SH8K2
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SH8K2TB1TR
SH8K2TB1DKR
SH8K2TB1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SH8MA2GZETB
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP
SP8M4FRATB
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
SP8J66TB1
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP