رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SP8J3FU6TB
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SP8J3FU6TB-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
المخزون:
13525710
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SP8J3FU6TB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.5nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
490pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOP
رقم المنتج الأساسي
SP8J3
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SH8M5TB1
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
SP8M6TB
MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
SP8M8FU6TB
MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP