الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SP8K22FRATB
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SP8K22FRATB-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 45V 4.5A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13527018
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SP8K22FRATB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
45V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
46mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.6nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
550pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOP
رقم المنتج الأساسي
SP8K22
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
SP8K22FRATB
SOP8 TB Taping Spec
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SP8K22FRATBCT
SP8K22FRATBTR
SP8K22FRATBDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN4034SSD-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
48585
DiGi رقم الجزء
DMN4034SSD-13-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SP8K22HZGTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2440
DiGi رقم الجزء
SP8K22HZGTB-DG
سعر الوحدة
0.61
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TT8K11TCR
MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST
SP8K2TB
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
SP8K31TB1
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
SP8K52FRATB
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP