رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SP8M6HZGTB
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
SP8M6HZGTB-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 5A (Ta), 3.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
المخزون:
2496 قطع جديدة أصلية في المخزون
12967422
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SP8M6HZGTB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Ta), 3.5A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
230pF @ 10V, 490pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOP
رقم المنتج الأساسي
SP8M6
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
846-SP8M6HZGTBTR
846-SP8M6HZGTBCT
846-SP8M6HZGTBDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HS8MA2TCR1
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 9DFN
AO8801A_001
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
CSD86356Q5DT
MOSFET 25V
