رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
UMB2NFHATN
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
UMB2NFHATN-DG
وصف:
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
المخزون:
3475 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524906
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
UMB2NFHATN المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
-
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
68 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
-
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
UMT6
رقم المنتج الأساسي
UMB2
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
UMB2NFHATNDKR
UMB2NFHATNTR
UMB2NFHATNCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة