الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
UMF23NTR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
UMF23NTR-DG
وصف:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount UMT6
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13525461
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
UMF23NTR المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA, 150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz, 140MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
UMT6
رقم المنتج الأساسي
UMF23
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PBLS4003Y,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
11813
DiGi رقم الجزء
PBLS4003Y,115-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PBLS4002Y,115
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
95122
DiGi رقم الجزء
PBLS4002Y,115-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PUMD15,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
15013
DiGi رقم الجزء
PUMD15,115-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PBLS4001Y,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2094
DiGi رقم الجزء
PBLS4001Y,115-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PUMD20,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2444
DiGi رقم الجزء
PUMD20,115-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UMB1NTN
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
IMB11AT110
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
UMB8NTR
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
UMH7NTR
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6