الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
UMH1NTN
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
UMH1NTN-DG
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
المخزون:
51 قطع جديدة أصلية في المخزون
13080448
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
UMH1NTN المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
الشركه المصنعه
Rohm Semiconductor
سلسلة
-
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
56 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
UMT6
رقم المنتج الأساسي
UMH1
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
UMH1NTN
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
UMH1NTNTR
UMH1NTN-ND
UMH1NTNDKR
846-UMH1NTNTR
UMH1NTNCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PUMH9,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
39858
DiGi رقم الجزء
PUMH9,115-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
UMH1N-TP
المُصنِّع
Micro Commercial Co
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
UMH1N-TP-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
PUMH18,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2720
DiGi رقم الجزء
PUMH18,115-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PUMH9,135
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9955
DiGi رقم الجزء
PUMH9,135-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PUMH9,125
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2995
DiGi رقم الجزء
PUMH9,125-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UMH4NTN
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
UMH8NTR
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
EMH59T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
UMB3NTN
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6