رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
US5U29TR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
US5U29TR-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT5
المخزون:
13524968
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
US5U29TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.1 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
150 pF @ 10 V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TUMT5
العبوة / العلبة
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
رقم المنتج الأساسي
US5U29
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
US5U29CT
US5U29DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RTQ035N03TR
MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
SCT3030KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
TT8U2TR
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST