رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
VT6J1T2CR
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
VT6J1T2CR-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
المخزون:
13525132
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
VT6J1T2CR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Last Time Buy
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
120mW
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD, Flat Leads
حزمة جهاز المورد
VMT6
رقم المنتج الأساسي
VT6J1
مواصفات تقنية ومستندات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
VT6J1T2CRCT
VT6J1T2CRDKR
VT6J1T2CRTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
EM6J1T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
12037
DiGi رقم الجزء
EM6J1T2R-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SH8M51GZETB
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
TT8J13TCR
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A 8TSST
QS8J12TCR
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
